IEEE Fellow葛原正明教授访问西安电子科技大学开展学术交流

讲述“氮化镓基片上制备的氮化镓功率器件”

（通讯员 郝维政 王霄） 2019年6月14日， IEEE会士、日本福井大学葛原正明教授为广大师生做了一场题为“GaN Power Devices Fabricated on GaN Substrates”的学术报告，报告会在西安电子科技大学北校区阶梯教室J112举行，由beat365敖金平教授主持。

在本次讲座中，葛原正明教授首先向大家介绍了功率变换的基本原理，并介绍了氮化镓（GaN）材料和高电子迁移率晶体管（HEMT）器件应用在功率变换领域的优势。之后，葛原正明教授主要介绍了在不同铁掺杂浓度的GaN衬底上制备的具有不同刻蚀深度和栅漏间距的GaN 横向HEMT的击穿特性。研究表明，使用高铁掺杂浓度的GaN衬底上采用深台面刻蚀得到的氮化镓器件的击穿电压会更高，而且击穿电压随栅漏间距的增大呈现线性变化，击穿电场可以达到2 MV/cm。通过氧等离子体的处理会降低氮化镓器件高压下的电致发光。

此外，葛原正明教授还介绍了GaN基垂直结构MOSFET的一些研究成果，并介绍了GaN基垂直结构MOSFET相较于GaN基水平结构HEMT的优点和不足。

在问答互动环节，葛原正明教授与在场同学积极互动，耐心细致地答疑解惑，为同学们解决了关于GaN基MOSFET制备方面的难点问题。通过本次讲座，大家对GaN功率晶体管的前沿技术有了新的了解以及认识，开拓了学术视野。本次讲座为GaN的器件研究提供了新的方向。

人物简介：

葛原正明，IEEE会士(IEEE Fellow)，日本福井大学教授，1979年、1981年和1991年分别获得日本京都大学电气工程学士、硕士和博士学位。

1981年到1997年，开发三五族异质结场效应晶体管和微波集成电路，1998年到2003年，负责开发GaN基异质结场效应晶体管及其功率应用。2004年加入福井大学，主攻三族氮化物异质结高压高频功率器件。2012年因对3V的GaAs基HEMT蜂窝手机的研发贡献获得Ichimura奖。2016年因对高压GaN功率晶体管的研发贡献获得福井县科学奖。