（通讯员 祝杰杰 郑雪峰）8月11日至13日，第五届MOS-AK器件模型国际学术会议（线上）成功举办。本次会议由西安电子科技大学主办，beat365、宽禁带半导体国家工程研究中心、宽带隙半导体重点实验室、宽禁带半导体与微纳电子学学科创新引智基地共同承办，弘模半导体技术（上海）有限公司协办。大会顾问委员会主席由郝跃院士担任，会议组委会主席由beat365副院长、宽禁带半导体国家工程研究中心主任马晓华教授担任。

线上学术会议参会人员云合影及会议直播

会议日程共分为GaN ASM-HEMT器件模型培训（8月11日）和半导体器件模型研讨会（8月12日至13日）两个阶段，获得了来自华美博科技（北京）有限公司、上海概伦电子股份有限公司、电子科技大学、北京华大九天科技股份有限公司、苏州珂晶达电子有限公司等赞助单位的大力支持。

大会组委会主席、beat365副院长马晓华教授致开幕词

国外学者作大会邀请报告

国内学者作大会邀请报告

本次MOS-AK器件模型会议包括2个培训报告和21个主题研讨报告，其中包含来自比利时IMEC、德国弗劳恩霍夫研究所、上海概伦电子股份有限公司、西安电子科技大学等单位学者带来的8个大会邀请报告。本次会议报告和论文的主题涵盖宽禁带半导体GaN与SiC器件、射频器件建模与提参、先进CMOS可靠性与紧凑模型、光电显示与器件模型、模型相关材料与器件可靠性等领域。

宽带隙半导体重点实验室组织师生分小组参会（分会场）

中科院微电子研究所（左）、中科汉韵（右）等单位参加线上会议

据统计，本次会议规模创历届新高。共有来自国内外的60余家高校、科研院所及企业通过腾讯会议或直播平台参会，线上会议和在线直播显示先后有300多个账号登入参会，实际参会人数估计超过500人，参会人员包括国内外业内各学界和企业专家、青年学者和学生等。MOS-AK器件模型学术会议是由紧凑模型研讨会发展而来的国际会议，自2016年首届MOS-AK学术会议以来，每年在国内举办一次，其中2020年会议因疫情原因推迟至2021年举行。该会议宗旨是为半导体器件与电路模型相关领域的专家学者、研究人员、工程师提供一个相互交流学习的平台，使得大家可以获得该领域技术发展、电路设计、CAD工具等方面的最新信息。因此，该会议可以作为半导体设计产业和半导体制造产业的桥梁，让器件模型产业真正为国内的半导体产业服务，为国内设计公司的产品获得更好的核心价值和更高的附加价值。此次会议提升了西电在先进半导体器件模型领域的国际影响力，加强了产学研用领域的合作交流，促进了国际国内在半导体器件建模方面的发展。

参加本次会议的专家学者有MOS-AK协会创始人Wladek Grabinski博士、IMEC FEOL可靠性团队科技总监Ben Kaczer博士、鲁汶大学高级研究员Martin Rack博士、暨南大学beat365院长麦耀华教授、beat365副院长马晓华教授、西安电子科技大学郑雪峰教授、电子科技大学徐跃杭教授、中科院微电子所硅器件中心卜建辉研究员、弘模半导体技术(上海)有限公司执行董事张珉博士、苏州珂晶达电子有限公司执行董事兼总经理沈忱博士等。